参数资料
型号: HIP6602BCR
厂商: Intersil
文件页数: 9/12页
文件大小: 0K
描述: IC DRVR MOSF 2CH SYC BUCK 16-QFN
标准包装: 60
配置: 高端和低端,同步
输入类型: PWM
电流 - 峰: 400mA
配置数: 2
输出数: 4
高端电压 - 最大(自引导启动): 15V
电源电压: 10.8 V ~ 13.2 V
工作温度: 0°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-VQFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 16-QFN-EP(5x5)
包装: 管件
HIP6602B
Typical Performance Curves
1200
C U = C L
1200
PVCC = VCC = 12V
1000
= 5nF
1000
800
C U = C L
= 4nF
C U = C L
= 3nF
PVCC = 12V
VCC = 12V
800
C U = C L = 1nF
C L = 1nF, C U = 0nF
600
600
400
C U = C L = 2nF
400
200
0
C U = C L = 1nF
200
0
C U = 1nF, C L = 0nF
0
500
1000
1500
0
500
1000
1500
2000
FREQUENCY (kHz)
FIGURE 2. POWER DISSIPATION vs FREQUENCY
1200
PVCC = VCC = 12V
1000
1200
1000
FREQUENCY (kHz)
FIGURE 3. 1nF LOADING PROFILE
PVCC = VCC = 12V
800
C U = C L = 3nF
800
500kHz
600
400
C U = 3nF, C L = 0nF
C L = 3nF, C U = 0nF
600
400
200kHz
100kHz
200
0
200
0
30kHz
10kHz
0
500
1000
1500
1
2
3
4
5
800
FREQUENCY (kHz)
FIGURE 4. 3nF LOADING PROFILE
350
GATE CAPACITANCE (C U = C L ), (nF)
FIGURE 5. POWER DISSIPATION vs LOADING
700
600
500
PVCC = 5V, VCC = 12V
C U = C L = 3nF
C U = C L = 5nF
C U = C L = 4nF
300
250
200
PVCC = 5V, VCC = 12V
C U = C L = 1nF
C L = 1nF, C U = 0nF
400
150
300
C U = 1nF, C L = 0nF
200
100
C U = C L =1nF
C U = C L = 2nF
100
50
0
0
500
1000
1500
2000
0
0
500
1000
1500
2000
FREQUENCY (kHz)
FIGURE 6. POWER DISSIPATION vs FREQUENCY, PVCC = 5V
9
FREQUENCY (kHz)
FIGURE 7. POWER DISSIPATION vs FREQUENCY, PVCC = 5V
FN9076.5
July 22, 2005
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PDF描述
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HIP6602BCB IC DRVR MOSF 2CH SYC BUCK 14SOIC
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参数描述
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