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参数资料
| 型号： | HMC451LP3E |
| 厂商： | Hittite Microwave Corporation |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MMIC PWR AMP 16QFN |
| 标准包装： | 1 |
| 频率： | 5GHz ~ 18GHz |
| P1dB： | 19dBm |
| 增益： | 16dB |
| 噪音数据： | 7dB |
| RF 型： | 通用 |
| 电源电压： | 5V |
| 电流 - 电源： | 150mA |
| 封装/外壳： | 16-VFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 1127-1045-6 |
HMC451LP3 / 451LP3E
v00.0808
Power Compression @ 10 GHz
24
20
GaAs PHEMT MMIC MEDIUM
POWER AMPLIFIER, 5 - 18 GHz
Power Compression @ 17 GHz
24
20
9
16
12
8
Pout (dBm)
Gain (dB)
PAE (%)
16
12
8
Pout (dBm)
Gain (dB)
PAE (%)
4
0
4
0
-18
-14
-10
-6
-2
2
6
-18
-14
-10
-6
-2
2
6
INPUT POWER (dBm)
Output IP3 vs. Temperature
32
30
INPUT POWER (dBm)
Noise Figure vs. Temperature
12
10
28
8
26
6
24
22
20
+25C
+85C
-40C
4
2
+25C
+85C
-40C
4
6
8
10
12
14
16
18
20
4
6
8
10
12
14
16
18
20
FREQUENCY (GHz)
Gain, P1dB & PSAT
vs. Supply Voltage @ 11 GHz
22
21
FREQUENCY (GHz)
Reverse Isolation vs. Temperature
0
-10
20
19
18
-20
-30
-40
+25C
+85C
-40C
17
16
Gain
P1dB
Psat
-50
-60
4.5
5
5.5
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Vdd (V)
FREQUENCY (GHz)
For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824
9-3
Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373 Order On-line at www.hittite.com
Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| HMC452QS16G | 制造商:HITTITE 制造商全称:Hittite Microwave Corporation 功能描述:InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 0.4 - 2.2 GHz |
| HMC452QS16G_06 | 制造商:HITTITE 制造商全称:Hittite Microwave Corporation 功能描述:InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 0.4 - 2.2 GHz |
| HMC452QS16G_09 | 制造商:HITTITE 制造商全称:Hittite Microwave Corporation 功能描述:InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 0.4 - 2.2 GHz |
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