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参数资料
| 型号： | HMC659 |
| 厂商： | HITTITE MICROWAVE CORP |
| 元件分类： | 放大器 |
| 英文描述： | 0 MHz - 15000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| 封装： | 3.115 X 1.63 MM, 0.10 MM HEIGHT, DIE-7 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 290K |
| 代理商： | HMC659 |
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IN
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&
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W
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IF
IE
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IP
3
3 - 113
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373
Order On-line at www.hittite.com
Absolute Maximum Ratings
Drain Bias Voltage (Vdd)
+9 Vdc
Gate Bias Voltage (Vgg1)
0 to -2 Vdc
Gate Bias Voltage (Vgg2)
+2V to +4V
RF Input Power (RFIN)(Vdd = +12V)
+20 dBm
Channel Temperature
175 °C
Continuous Pdiss (T= 85 °C)
(derate 41 mW/°C above 85 °C)
3.69 W
Thermal Resistance
(channel to die bottom)
24.4 °C/W
Storage Temperature
-65 to 150°C
Operating Temperature
-55 to 85 °C
Vdd (V)
Idd (mA)
+7.5
299
+8.0
300
+8.5
301
Typical Supply Current vs. Vdd
ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE
OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS
Power Compression @ 15 GHz
Power Dissipation
Power Compression @ 2 GHz
Power Compression @ 7 GHz
HMC659
v01.0708
GaAs PHEMT MMIC
POWER AMPLIFIER, DC - 15 GHz
0
4
8
12
16
20
24
28
32
036
9
12
15
Pout
Gain
PAE
Pout
(dBm),
GAIN
(dB),
PAE
(%)
INPUT POWER (dBm)
0
4
8
12
16
20
24
28
32
036
9
12
15
Pout
Gain
PAE
Pout
(dBm),
GAIN
(dB),
PAE
(%)
INPUT POWER (dBm)
0
4
8
12
16
20
24
28
32
036
9
12
15
Pout
Gain
PAE
Pout
(dBm),
GAIN
(dB),
PAE
(%)
INPUT POWER (dBm)
0
2
4
6
8
10
-10
-6
-2
2
6
10
14
18
Max Pdis @ 85C
2 GHz
12 GHz
POWER
DISSIPATION
(W)
INPUT POWER (dBm)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HMC667LP2 | 2300 MHz - 2700 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND LOW POWER AMPLIFIER |
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| HMC688LP4 | 2000 MHz - 2700 MHz RF/MICROWAVE TRIPLE BALANCED MIXER, 10 dB CONVERSION LOSS-MAX |
| HMC695LP4E | 2850 MHz - 3300 MHz RF/MICROWAVE FREQUENCY QUADRUPLER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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