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参数资料
| 型号： | HMC757LP4E |
| 厂商： | HITTITE MICROWAVE CORP |
| 元件分类： | 放大器 |
| 英文描述： | 16000 MHz - 24000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| 封装： | 4 X 4 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMT, 24 PIN |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 841K |
| 代理商： | HMC757LP4E |
For price, delivery and to place orders: Hittite Microwave Corporation, 20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824
Phone: 978-250-3343
Fax: 978-250-3373
Order On-line at www.hittite.com
Application Support: Phone: 978-250-3343 or apps@hittite.com
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T
HMC757LP4E
v00.0610
GaAs pHEMT MMIC WATT
POWER AMPLIFIER, 16 - 24 GHz
Absolute Maximum Ratings
Drain Bias Voltage (Vdd)
7V
rf input power (rfin)
23 dBm
Channel Temperature
150 °C
Continuous pdiss (T= 85 °C)
(derate 40 mw/°C above 85 °C)
2.7 w
Thermal resistance
(channel to exposed ground paddle)
24.85 C/w
storage Temperature
-65 to +150 °C
operating Temperature
-55 to +85 °C
Vdd (V)
idd (mA)
+5.0
400
+5.5
400
+6.0
400
Note: Amplifier will operate over full voltage ranges shown
above Vgg adjusted to achieve Idd = 400 mA at +5.5V
Typical Supply Current vs. Vdd
eleCTrosTATiC sensiTiVe DeViCe
oBserVe HAnDlinG preCAUTions
Power Dissipation
Gain & Power vs.
Supply Voltage @ 20 GHz
Gain & Power vs.
Supply Current @ 20 GHz
10
15
20
25
30
35
350
360
370
380
390
400
Gain
P1dB
Psat
Idd (mA)
Gain
(dB),
P1dB
(dBm),
Psat
(dBm)
10
15
20
25
30
35
5
5.5
6
6.5
7
Gain
P1dB
Psat
Vdd (V)
Gain
(dB),
P1dB
(dBm),
Psat
(dBm)
1.5
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
-18
-14
-10
-6
-2
2
6
10
16 GHz
18 GHz
20 GHz
22 GHz
24 GHz
INPUT POWER (dBm)
P
O
W
E
R
D
IS
S
IP
A
T
IO
N
(W
)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HMC758LP3 | 700 MHz - 2200 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| HMC774LC3B | 7000 MHz - 34000 MHz RF/MICROWAVE TRIPLE BALANCED MIXER, 14 dB CONVERSION LOSS-MAX |
| HMC784MS8GE | 0 MHz - 4000 MHz RF/MICROWAVE DIVERSITY SWITCH, 2 dB INSERTION LOSS |
| HMC788LP2E | 0 MHz - 10000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| HMC792LP4E | 0 MHz - 6000 MHz RF/MICROWAVE VARIABLE ATTENUATOR, 5 dB INSERTION LOSS-MAX |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HMC757-SX | 功能描述:RF Amplifier IC VSAT, DBS 16GHz ~ 24GHz Die 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:托盘 零件状态:过期 频率:16GHz ~ 24GHz P1dB:29dBm 增益:22dB 噪声系数:- RF 类型:VSAT，DBS 电压 - 电源:7V 电流 - 电源:395mA 测试频率:16GHz ~ 20GHz 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标准包装:2 |
| HMC7584LG | 功能描述:71-76 GHZ TRANSMITTER MCM 制造商:analog devices inc. 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 |
| HMC7585LG | 功能描述:81-86 GHZ TRANSMITTER MCM 制造商:analog devices inc. 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 |
| HMC7586 | 功能描述:RF Amplifier IC 71GHz ~ 76GHz Die 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:散装 零件状态:要求报价 频率:71GHz ~ 76GHz P1dB:-9dBm 增益:12.5dB 噪声系数:5dB RF 类型:- 电压 - 电源:4.5V 电流 - 电源:175mA 测试频率:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标准包装:25 |
| HMC7587 | 功能描述:RF Amplifier IC 81GHz ~ 86GHz Die 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:散装 零件状态:要求报价 频率:81GHz ~ 86GHz P1dB:-10dBm 增益:10dB 噪声系数:6dB RF 类型:- 电压 - 电源:4.5V 电流 - 电源:175mA 测试频率:- 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标准包装:25 |
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