型号: | HUF75321D3S |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 20A, 55V, 0.036 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
中文描述: | 20 A, 55 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
文件页数: | 2/10页 |
文件大小: | 227K |
代理商: | HUF75321D3S |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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HUF75345S3 | 75 A, 55 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
HUFA75307D3 | 15A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
HUFA75307D3S | 15A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
HUFA75307P3 | 15A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
HUFA75307T3ST | 2.6A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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HUF75321D3ST | 功能描述:MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
HUF75321D3ST_S2457 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
HUF75321P3 | 功能描述:MOSFET 35A 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
HUF75321S3 | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
HUF75321S3S | 功能描述:MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |