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参数资料
| 型号： | HUF75321D3S |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 20A, 55V, 0.036 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
| 中文描述： | 20 A, 55 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 227K |
| 代理商： | HUF75321D3S |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUF75321D3, HUF75321D3S Rev. B
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
FIGURE 16. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 17. GATE CHARGE WAVEFORM
FIGURE 18. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 19. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
tP
VGS
0.01
L
IAS
+
-
VDS
VDD
RG
DUT
VARY tP TO OBTAIN
REQUIRED PEAK IAS
0V
VDD
VDS
BVDSS
tP
IAS
tAV
0
RL
VGS
+
-
VDS
VDD
DUT
IG(REF)
VDD
Qg(TH)
VGS = 2V
Qg(10)
VGS = 10V
Qg(TOT)
VGS = 20V
VDS
VGS
Ig(REF)
0
Qgs
Qgd
VGS
RL
RGS
DUT
+
-
VDD
VDS
VGS
tON
td(ON)
tr
90%
10%
VDS
90%
10%
tf
td(OFF)
tOFF
90%
50%
10%
PULSE WIDTH
VGS
0
HUF75321D3, HUF75321D3S
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HUF75345S3 | 75 A, 55 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| HUFA75307D3 | 15A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
| HUFA75307D3S | 15A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
| HUFA75307P3 | 15A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
| HUFA75307T3ST | 2.6A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUF75321D3ST | 功能描述:MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75321D3ST_S2457 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HUF75321P3 | 功能描述:MOSFET 35A 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75321S3 | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75321S3S | 功能描述:MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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