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参数资料
| 型号： | HUF75321S3S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 34 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 680pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 93W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 管件 |
HUF75321P3
Typical Performance Curves
(Continued)
2.5
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.2
V GS = V DS , I D = 250 μ A
V GS = 10V, I D = 35A
2.0
1.0
1.5
0.8
1.0
0.5
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0.6
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 9. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE ON
RESISTANCE vs JUNCTION TEMPERATURE
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 10. NORMALIZED GATE THRESHOLD VOLTAGE vs
JUNCTION TEMPERATURE
C OSS ≈ C DS + C GD
1.2
I D = 250 μ A
1000
800
C ISS
V GS = 0V, f = 1MHz
C ISS = C GS + C GD
C RSS = C GD
1.1
600
400
1.0
200
C OSS
C RSS
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0
0
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 11. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
FIGURE 12. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
10
8
6
4
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
2
V DD = 30V
I D = 35A
I D = 17.5A
I D = 8.75A
0
0
5
10
15
20
25
Q g , GATE CHARGE (nC)
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 13. GATE CHARGE WAVEFORMS FOR CONSTANT GATE CURRENT
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUF75321P3 Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HUF75329D3S | MOSFET N-CH 55V 20A DPAK |
| HUF75332S3ST | MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK |
| HUF75344S3ST | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
| HUF75345S3 | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
| HUF75542P3 | MOSFET N-CH 80V 75A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUF75321S3ST | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75329D3 | 功能描述:MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75329D3S | 功能描述:MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75329D3S | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| HUF75329D3ST | 功能描述:MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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