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参数资料
| 型号： | HUF75321S3S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 34 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 680pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 93W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 管件 |
HUF75321P3
SPICE Thermal Model
REV 24 February 1999
HUF75321P
CTHERM1 th 6 2.7e-3
CTHERM2 6 5 3.7e-3
CTHERM3 5 4 1.2e-2
CTHERM4 4 3 3.8e-3
CTHERM5 3 2 1.4e-2
CTHERM6 2 tl 10.55
RTHERM1 th 6 1.10e-2
RTHERM2 6 5 2.72e-2
RTHERM3 5 4 7.67e-2
RTHERM4 4 3 4.30e-1
RTHERM5 3 2 6.49e-1
RTHERM6 2 tl 8.61e-2
SABER Thermal Model
SABER thermal model HUF75321P
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 = 2.7e-3
ctherm.ctherm2 6 5 = 3.7e-3
ctherm.ctherm3 5 4 = 1.2e-2
ctherm.ctherm4 4 3 = 3.8-3
ctherm.ctherm5 3 2 = 1.4e-2
ctherm.ctherm6 2 tl = 10.55
rtherm.rtherm1 th 6 = 1.10e-3
rtherm.rtherm2 6 5 = 2.72e-2
rtherm.rtherm3 5 4 = 7.67e-2
rtherm.rtherm4 4 3 = 4.30e-1
rtherm.rtherm5 3 2 = 6.49e-1
rtherm.rtherm6 2 tl = 8.61e-2
}
RTHERM1
RTHERM2
RTHERM3
RTHERM4
RTHERM5
RTHERM6
th
6
5
4
3
2
JUNCTION
CTHERM1
CTHERM2
CTHERM3
CTHERM4
CTHERM5
CTHERM6
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
tl
CASE
HUF75321P3 Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HUF75329D3S | MOSFET N-CH 55V 20A DPAK |
| HUF75332S3ST | MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK |
| HUF75344S3ST | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
| HUF75345S3 | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
| HUF75542P3 | MOSFET N-CH 80V 75A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUF75321S3ST | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75329D3 | 功能描述:MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75329D3S | 功能描述:MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75329D3S | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| HUF75329D3ST | 功能描述:MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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