- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录441 > HUF75545S3 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 80V 75A TO-262AA Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | HUF75545S3 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 75A TO-262AA |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 235nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3750pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 270W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262AA |
| 包装： | 管件 |
HUF75545P3, HUF75545S3S
Typical Performance Curves
1.2
I D = 250 μ A
1.1
1.0
0.9
(Continued)
10000
1000
C ISS = C GS + C GD
C OSS ? C DS + C GD
C RSS = C GD
0.8
100
V GS = 0V, f = 1MHz
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0.1
1
10
80
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 11. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
FIGURE 12. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
10
V DD = 40V
8
6
4
WAVEFORMS IN
2
0
DESCENDING ORDER:
I D = 75A
I D = 35A
0
30
60
90
120
Q g , GATE CHARGE (nC)
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 13. GATE CHARGE WAVEFORMS FOR CONSTANT GATE CURRENT
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
HUF75545P3 / HUF75545S3S Rev. C 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HUF75631P3 | MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB |
| HUF75639S3 | MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AA |
| HUF75645S3S | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK |
| HUF75652G3 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-247 |
| HUF75842P3 | MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUF75545S3S | 功能描述:MOSFET 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75545S3ST | 功能描述:MOSFET 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75545S3ST_F101 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:HUF75545S3S Series N-Channel 80 V 0.01 Ohm UltraFET Power Mosfet - TO-263AB 制造商:FAIRCHILD 功能描述:0 |
| HUF75545S3ST_NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HUF7554S3S | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。