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参数资料
| 型号： | HUF75545S3 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 75A TO-262AA |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 235nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3750pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 270W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262AA |
| 包装： | 管件 |
HUF75545P3, HUF75545S3S
SPICE Thermal Model
REV 21 May 1999
HUF75545T
CTHERM1 th 6 6.4e-3
CTHERM2 6 5 3.0e-2
CTHERM3 5 4 1.4e-2
CTHERM4 4 3 1.6e-2
CTHERM5 3 2 5.5e-2
CTHERM6 2 tl 1.5
RTHERM1 th 6 3.2e-3
RTHERM2 6 5 8.1e-3
RTHERM3 5 4 2.3e-2
RTHERM4 4 3 1.3e-1
RTHERM5 3 2 1.8e-1
RTHERM6 2 tl 3.8e-2
SABER Thermal Model
SABER thermal model HUF75545T
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 = 6.4e-3
ctherm.ctherm2 6 5 = 3.0e-2
ctherm.ctherm3 5 4 = 1.4e-2
ctherm.ctherm4 4 3 = 1.6e-2
ctherm.ctherm5 3 2 = 5.5e-2
ctherm.ctherm6 2 tl = 1.5
rtherm.rtherm1 th 6 = 3.2e-3
rtherm.rtherm2 6 5 = 8.1e-3
rtherm.rtherm3 5 4 = 2.3e-2
rtherm.rtherm4 4 3 = 1.3e-1
rtherm.rtherm5 3 2 = 1.8e-1
rtherm.rtherm6 2 tl = 3.8e-2
}
RTHERM1
RTHERM2
RTHERM3
RTHERM4
RTHERM5
RTHERM6
th
6
5
4
3
2
JUNCTION
CTHERM1
CTHERM2
CTHERM3
CTHERM4
CTHERM5
CTHERM6
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
tl
CASE
HUF75545P3 / HUF75545S3S Rev. C 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HUF75631P3 | MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB |
| HUF75639S3 | MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AA |
| HUF75645S3S | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUF75545S3S | 功能描述:MOSFET 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75545S3ST | 功能描述:MOSFET 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75545S3ST_F101 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:HUF75545S3S Series N-Channel 80 V 0.01 Ohm UltraFET Power Mosfet - TO-263AB 制造商:FAIRCHILD 功能描述:0 |
| HUF75545S3ST_NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HUF7554S3S | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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