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参数资料
| 型号： | HUF75639S3 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AA |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 56A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 56A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262AA |
| 包装： | 管件 |
HUF75639G3, HUF75639P3, HUF75639S3S, HUF75639S3
Electrical Specifications
T C = 25 o C, Unless Otherwise Specified
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
CAPACITANCE SPECIFICATIONS
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C ISS
C OSS
C RSS
V DS = 25V, V GS = 0V,
f = 1MHz
(Figure 12)
-
-
-
2000
500
65
-
-
-
pF
pF
pF
Source to Drain Diode Specifications
PARAMETER
Source to Drain Diode Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovered Charge
SYMBOL
V SD
t rr
Q RR
TEST CONDITIONS
I SD = 56A
I SD = 56A, dI SD /dt = 100A/ μ s
I SD = 56A, dI SD /dt = 100A/ μ s
MIN
-
-
-
TYP
-
-
-
MAX
1.25
110
320
UNITS
V
ns
nC
Typical Performance Curves
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
2
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
1
0.1
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
t 1
NOTES:
t 2
0.01
SINGLE PULSE
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUF75639G3, HUF75639P3, HUF75639S3S, HUF75639S3 Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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