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参数资料
| 型号： | HUF75639S3 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AA |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 56A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 56A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262AA |
| 包装： | 管件 |
HUF75639G3, HUF75639P3, HUF75639S3S, HUF75639S3
Typical Performance Curves
(Continued)
3.0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.2
V GS = V DS , I D = 250 μ A
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
V GS = 10V, I D = 56A
1.0
0.8
0.6
-80
-40
0
40
80
120
160
200
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 9. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE ON
RESISTANCE vs JUNCTION TEMPERATURE
1.2
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 10. NORMALIZED GATE THRESHOLD VOLTAGE vs
JUNCTION TEMPERATURE
3000
C OSS ≈ C DS + C GD
1.1
1.0
0.9
I D = 250 μ A
2500
2000
1500
1000
500
0
C ISS
C OSS
C RSS
V GS = 0V, f = 1MHz
C ISS = C GS + C GD
C RSS = C GD
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 11. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
FIGURE 12. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
10
8
6
4
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
2
0
V DD = 50V
I D = 56A
I D = 37A
I D = 18A
0
10
20
30
40
50
60
Qg, GATE CHARGE (nC)
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 13. GATE CHARGE WAVEFORMS FOR CONSTANT GATE CURRENT
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUF75639G3, HUF75639P3, HUF75639S3S, HUF75639S3 Rev. C0
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PDF描述 |
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