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参数资料
| 型号： | HUF75652G3 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 75A TO-247 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-247 Pkg |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 475nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7585pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 515W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
HUF75652G3
SPICE Thermal Model
REV 1April 1999
HUF75652T
CTHERM1 th 6 9.75e-3
CTHERM2 6 5 3.90e-2
CTHERM3 5 4 2.50e-2
CTHERM4 4 3 2.95e-2
CTHERM5 3 2 6.55e-2
CTHERM6 2 tl 12.55
RTHERM1 th 6 1.96e-3
RTHERM2 6 5 4.89e-3
RTHERM3 5 4 1.38e-2
RTHERM4 4 3 7.73e-2
RTHERM5 3 2 1.17e-1
RTHERM6 2 tl 1.55e-2
SABER Thermal Model
SABER thermal model HUF75652T
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 = 9.75e-3
ctherm.ctherm2 6 5 = 3.90e-2
ctherm.ctherm3 5 4 = 2.50e-2
ctherm.ctherm4 4 3 = 2.95e-2
ctherm.ctherm5 3 2 = 6.55e-2
ctherm.ctherm6 2 tl = 12.55
rtherm.rtherm1 th 6 = 1.96e-3
rtherm.rtherm2 6 5 = 4.89e-3
rtherm.rtherm3 5 4 = 1.38e-2
rtherm.rtherm4 4 3 = 7.73e-2
rtherm.rtherm5 3 2 = 1.17e-1
rtherm.rtherm6 2 tl = 1.55e-2
}
RTHERM1
RTHERM2
RTHERM3
RTHERM4
RTHERM5
RTHERM6
th
6
5
4
3
2
JUNCTION
CTHERM1
CTHERM2
CTHERM3
CTHERM4
CTHERM5
CTHERM6
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
tl
CASE
HUF75652G3 Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HUF75842P3 | MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB |
| HUF75852G3 | MOSFET N-CH 150V 75A TO-247 |
| HUF76423P3 | MOSFET N-CH 60V 35A TO-220AB |
| HUF76629D3 | MOSFET N-CH 100V 20A IPAK |
| HUFA75307T3ST | MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUF75652G3_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HUF75652G3_Q | 功能描述:MOSFET 75a 100VN-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75823D3 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75823D3S | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF75823D3ST | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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