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参数资料
| 型号： | HUF76423P3 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 35A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1060pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 85W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | HUF76423P3-ND HUF76423P3FS |
HUF76423P3
Typical Performance Curves
1.2
40
1.0
30
0.8
0.6
20
V GS = 10V
V GS = 4.5V
0.4
10
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
1 0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
0.1
t 1
t 2
NOTES:
0.01
SINGLE PULSE
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
500
T C = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
100
V GS = 10V
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
V GS = 5V
I = I 25
175 - T C
150
20
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t, PULSE WIDTH (s)
FIGURE 4. PEAK CURRENT CAPABILITY
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUF76423P3 Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HUF76629D3 | MOSFET N-CH 100V 20A IPAK |
| HUFA75307T3ST | MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223-4 |
| HUFA75321D3ST | MOSFET N-CH 55V 20A DPAK |
| HUFA75344G3 | MOSFET N-CH 55V 75A TO-247 |
| HUFA76409D3ST | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUF76423P3T | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 36A I(D) | TO-263AB |
| HUF76423S3S | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF76423S3ST | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF76429D3 | 功能描述:MOSFET TO-251 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF76429D3_05 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET㈢ Power MOSFET |
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