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参数资料
| 型号： | HUF76423P3 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 35A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1060pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 85W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | HUF76423P3-ND HUF76423P3FS |
HUF76423P3
Typical Performance Curves
(Continued)
1.2
V GS = V DS , I D = 250 μ A
1.2
I D = 250 μ A
1.0
1.1
0.8
1.0
0.6
0.4
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
200
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 11. NORMALIZED GATE THRESHOLD VOLTAGE vs
JUNCTION TEMPERATURE
3000
C ISS = C GS + C GD
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
FIGURE 12. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
10
V DD = 30V
8
1000
6
C OSS ? C DS + C GD
4
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
100
C RSS = C GD
2
I D = 35A
I D = 25A
I D = 15A
20
V GS = 0V, f = 1MHz
0
0
5
10
15
20
25
30
0.1
1
10
60
Q g , GATE CHARGE (nC)
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
FIGURE 13. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 14. GATE CHARGE WAVEFORMS FOR CONSTANT
GATE CURRENT
250
V GS = 4.5V, V DD = 30V, I D = 22A
t r
200
V GS = 10V, V DD = 30V, I D = 35A
t d(OFF)
200
t f
150
t r
150
100
t f
100
50
t d(OFF)
50
0
t d(ON)
0
t d(ON)
0
10
20
30
40
50
0
10
20
30
40
50
R GS , GATE TO SOURCE RESISTANCE ( ? )
FIGURE 15. SWITCHING TIME vs GATE RESISTANCE
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
R GS , GATE TO SOURCE RESISTANCE ( ? )
FIGURE 16. SWITCHING TIME vs GATE RESISTANCE
HUF76423P3 Rev. C0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HUF76423P3T | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 36A I(D) | TO-263AB |
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| HUF76423S3ST | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF76429D3 | 功能描述:MOSFET TO-251 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| HUF76429D3_05 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:20A, 60V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET㈢ Power MOSFET |
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