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参数资料
| 型号： | HX6656RVFT |
| 厂商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 32K x 8 ROM-SOI |
| 中文描述： | 32K的× 8 ROM的绝缘硅 |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 155K |
| 代理商： | HX6656RVFT |
HX6656
6
TAVAVR
Address Read Cycle Time
25
ns
TAVQV
Address Access Time
25
ns
TAXQX
Address Change to Output Invalid Time
3
ns
TSLQV
Chip Select Access Time
25
ns
TSLQX
Chip Select Output Enable Time
5
ns
TSHQZ
Chip Select Output Disable Time
10
ns
TEHQV
Chip Enable Access Time (4)
25
ns
TEHQX
Chip Enable Output Enable Time (4)
5
ns
TELQZ
Chip Enable Output Disable Time (4)
10
ns
TGLQV
Output Enable Access Time
9
ns
TGLQX
Output Enable Output Enable Time
0
ns
TGHQZ
Output Enable Output Disable Time
9
ns
READ CYCLE AC TIMING CHARACTERISTICS (1)
Worst Case (3)
Symbol
Parameter
Typical
-55 to 125
°C
Units
(2)
Min
Max
HIGH
IMPEDANCE
NCS
NOE
DATA VALID
CE
TAVAVR
TAVQV
TAXQX
TSLQV
TSLQX
TSHQZ
TEHQX
TEHQV
TGLQX
TGLQV
TGHQZ
TELQZ
ADDRESS
DATA OUT
(1) Test conditions: input switching levels VIL/VIH=0.5V/VDD-0.5V (CMOS), VIL/VIH=0V/3V (TTL), input rise and fall times <1 ns/V, input and
output timing reference levels shown in the Tester AC Timing Characteristics table, capacitive output loading C
L >50 pF, or equivalent
capacitive output loading C
L=5 pF for TSHQZ, TELQZ TGHQZ. For CL >50 pF, derate access times by 0.02 ns/pF (typical).
(2) Typical operating conditions: VDD=5.0 V, TA=25
°C, pre-radiation.
(3) Worst case operating conditions: VDD=4.5 V to 5.5 V, -55
°C to +125°C, post total dose at 25°C.
(4) Chip Enable (CE) pin not available on 28-lead FP or DIP.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY17-12LF | 90-Degree Hybrid 1.71-1.88 GHz |
| HY19-12LF | 90-Degree Hybrid 1.85-1.99 GHz |
| HY22-73LF | 90-Degree Hybrid 2.1-2.3 GHz |
| HY5117100AR-50 | 16M X 1 FAST PAGE DRAM, 50 ns, PDSO24 |
| HY5DU12422BLT-H | 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HX6656RVHC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:32K x 8 ROM-SOI |
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| HX6656RVNC | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:32K x 8 ROM-SOI |
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