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参数资料
| 型号： | HY27US081G1MTCS |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP1-48 |
| 文件页数： | 16/39页 |
| 文件大小： | 312K |
| 代理商： | HY27US081G1MTCS |
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Rev 0.2 / May. 2007
23
Preliminary
HY27US(08/16)1G1M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Figure 9: Status Read Cycle
Figure 10: Read1 Operation (Read One Page)
tCLS
tCLR
tCLH
tCS
tCH
tWP
tWHR
tCEA
tDS
tREA
tCHZ
tRHZ
70h
Status Output
tDH
tIR
CE
WE
I/Ox
CLE
RE
CLE
CE
WE
ALE
RE
I/Ox
R/B
tWC
tCEH
tCHZ
tCRY
tRHZ
tRC
tR
tAR
tWB
tRP
00h or 01h
Col. Add1
Row Add1 Row Add2
Row Add3
Dout N
Dout N+1
Dout N+2
Dout 527
tRB
Column
Address
Page(Row) Address
Busy
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27US081G1MTPMP | 128M X 8 FLASH 2.7V PROM, 45 ns, PDSO48 |
| HY5116100BJ-70 | 16M X 1 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO24 |
| HY5116804CSLT-80 | 2M X 8 EDO DRAM, 80 ns, PDSO28 |
| HY514400ALT-60 | 1M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO20 |
| HY51VS65173HGLT-5 | 4M X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO50 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY27US08281A | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27US08282A | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27US08561A | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
| HY27US08561A-T (P) | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY27US08561M | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash |
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