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参数资料
| 型号： | HY29LV320BT-90 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32 Mbit (2M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封装： | TSOP-48 |
| 文件页数： | 36/44页 |
| 文件大小： | 323K |
| 代理商： | HY29LV320BT-90 |
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36
r1.3/May 02
HY29LV320
AC CHARACTERISTICS
Figure 21. Sector/Chip Erase Operation Timings
Addresses
CE#
t
WC
0x2AA
VA
VA
SA
OE#
t
AS
t
AH
t
WPH
t
WP
t
GHWL
t
CS
t
CH
WE#
Data
t
DS
t
DH
0x55
0x30
Status
D
OUT
t
WHWH2
or
WHWH3
RY/BY#
t
BUSY
t
RB
t
VCS
V
CC
Erase Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data (last two cycles)
Address = 0x555
for chip erase
Data = 0x10
for chip erase
Notes:
1. SA =Sector Address (for sector erase), VA = Valid Address for reading status data (see Write Operation Status section),
D
OUT
is the true data at the read address.(0xFF after an erase operation).
2. V
CC
shown only to illustrate t
VCS
measurement references. It cannot occur as shown during a valid command sequence.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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