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参数资料
| 型号： | HY29LV320BT-90 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32 Mbit (2M x 16) Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封装： | TSOP-48 |
| 文件页数： | 40/44页 |
| 文件大小： | 323K |
| 代理商： | HY29LV320BT-90 |
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40
r1.3/May 02
HY29LV320
AC CHARACTERISTICS
0x555 for Program
0x2AA for Erase
PA for Program
SA for Sector Erase
0x555 for Chip Erase
t
WS
t
RH
t
WH
CE#
OE#
Addresses
t
WC
VA
t
AS
t
AH
WE#
Data
RY/BY#
t
DS
Status
D
OUT
t
BUSY
t
WHWH1
or t
WHWH2
or t
WHWH3
t
DH
0xA0 for Program
0x55 for Erase
PD for Program
0x30 for Sector Erase
0x10 for Chip Erase
RESET#
t
CP
t
CPH
t
GHEL
Notes:
1.
PA = program address, PD = program data, VA = Valid Address for reading program or erase status (see Write
Operation Status section), D
OUT
= array data read at VA.
Illustration shows the last two cycles of the program or erase command sequence and the last status read cycle.
RESET# shown only to illustrate t
RH
measurement references. It cannot occur as shown during a valid command
sequence.
2.
3.
Figure 27. Alternate CE# Controlled Write Operation Timings
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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