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参数资料
| 型号： | HY57V281620A |
| 英文描述： | 4 Banks x 2M x 16Bit Synchronous DRAM(4组x 2M x 16位同步动态RAM) |
| 中文描述： | 4银行x 2米× 16位同步DRAM（4组× 2米× 16位同步动态RAM）的 |
| 文件页数： | 10/13页 |
| 文件大小： | 111K |
| 代理商： | HY57V281620A |
HY57V281620A
Rev. 1.0/Dec.99
10
V
DD
Clamp @ CLK, CKE, CS, DQM & DQ Minimum V
DD
clamp current
V
DD
(V)
I(mA)
0.0
0.0
0.2
0.0
0.4
0.0
0.6
0.0
0.7
0.0
0.8
0.0
0.9
0.0
1.0
0.23
1.2
1.34
1.4
3.02
1.6
5.06
1.8
7.35
2.0
9.83
2.2
12.48
2.4
15.30
2.6
18.31
V
SS
Clamp @ CLK, CKE, CS, DQM & DQ
V
SS
(V)
I (mA)
-2.6
-57.23
-2.4
-45.77
-2.2
-38.26
-2.0
-31.22
-1.8
-24.58
-1.6
-18.37
-1.4
-12.56
-1.2
-7.57
-1.0
-3.37
-0.9
-1.75
-0.8
-0.58
-0.7
-0.05
-0.6
0.0
-0.4
0.0
-0.2
0.0
0.0
0.0
0
5
10
15
20
0
1
2
3
Voltage
m
I (mA)
(Referenced to V
DD
)
- 60
- 50
- 40
- 30
- 20
- 10
0
- 3
- 2.5
- 2
- 1.5
- 1
- 0.5
0
Voltage
m
I (mA)
Minimum V
SS
clamp current
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| HY57V281620ALT-6 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY57V281620ALT-7 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 SDRAM |
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