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参数资料
| 型号： | HY57V283220LT-7I |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| 封装： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, TSOP2-86 |
| 文件页数： | 11/14页 |
| 文件大小： | 292K |
| 代理商： | HY57V283220LT-7I |
Rev. 0.6/Nov. 02
6
HY57V283220T-I / HY5V22F-I
CAPACITANCE ( HY57V283220T-I Series) (TA=25°C, f=1MHz, VDD=3.3V)
OUTPUT LOAD CIRCUIT
DC CHARACTERISTICS I (DC operating conditions unless otherwise noted)
Note :
1.VIN = 0 to 3.6V, All other pins are not under test = 0V
2.DOUT is disabled, VOUT=0 to 3.6V
Parameter
Pin
Symbol
Min
Max
Unit
Input capacitance
CLK
CI1
2.5
4.0
pF
A0 ~ A11, BA0, BA1, CKE, CS, RAS,
CAS, WE, DQM0~3
CI2
2.5
4.0
pF
Data input / output capacitance
DQ0 ~ DQ31
CI/O
4.0
6.5
pF
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
Note
Input leakage current
ILI
-1
1
uA
1
Output leakage current
ILO
-1
1
uA
2
Output high voltage
VOH
2.4
-
V
IOH = -2mA
Output low voltage
VOL
-0.4
V
IOL = +2mA
Vtt=1.4V
RT=500
30pF
Output
DC Output Load Circuit
AC Output Load Circuit
Vtt=1.4V
RT=50
30pF
Output
Z0 = 50
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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