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参数资料
| 型号： | HY57V643220D |
| 厂商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 4Banks x 512K x 32bits Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4Banks x为512k × 32位同步DRAM |
| 文件页数： | 8/13页 |
| 文件大小： | 227K |
| 代理商： | HY57V643220D |
Rev. 0.3 / Sep. 2004
8
HY57V643220D(L/S)T(P) Series
4Banks x 512K x 32bits Synchronous DRAM
Note 1.
DC CHARACTERRISTICS I
(T
A
= 0 to 70
o
C
)
Note :
1. VIN = 0 to 3.6V, All other balls are not tested under VIN =0V
2. DOUT is disabled, VOUT=0 to 3.6
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Note
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Output High Voltage
Output Low Voltage
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
-1
-1
2.4
-
1
1
-
uA
uA
V
V
1
2
I
OH
= -2mA
0.4
I
OL
= +2mA
Vtt=1.4V
RT=500
30pF
Output
DC Output Load Circuit
AC Output Load Circuit
Vtt=1.4V
RT=50
30pF
Output
Z0 = 50
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| HY57V643220DLT-55 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 512K x 32bits Synchronous DRAM |
| HY57V643220DLT-6 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 512K x 32bits Synchronous DRAM |
| HY57V643220DLT-7 | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 512K x 32bits Synchronous DRAM |
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