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参数资料
| 型号： | HY57V654020BLTC-6 |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封装： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 145K |
| 代理商： | HY57V654020BLTC-6 |
HY57V654020B
Rev. 1.7/Nov. 01
11
COMMAND TRUTH TABLE
Note :
1. Exiting Self Refresh occurs by asynchronously bringing CKE from low to high
2. X = Don
′t care, H = Logic High, L = Logic Low. BA =Bank Address, RA = Row Address, CA = Column Address,
Opcode = Operand Code, NOP = No Operation
Command
CKEn-1
CKEn
CS
RAS
CAS
WE
DQM
ADDR
A10/
AP
BA
Note
Mode Register Set
H
X
LLLL
X
OP code
No Operation
H
X
HX
X
XX
LH
H
Bank Active
H
X
L
H
X
RA
V
Read
HX
L
H
L
H
X
CA
L
V
Read with Autoprecharge
H
Write
HX
L
H
L
X
CA
L
V
Write with Autoprecharge
H
Precharge All Banks
HX
L
H
L
X
HX
Precharge selected Bank
LV
Burst Stop
H
X
L
H
L
X
DQM
H
X
V
X
Auto Refresh
H
L
H
X
Burst-READ-Single-WRITE
H
X
LLLL
X
A9 Pin High
(Other Pins OP code)
Self Refresh1
Entry
H
L
LLL
H
X
Exit
L
H
HX
X
LH
H
Precharge
power down
Entry
H
L
HX
X
LH
H
Exit
L
H
HX
X
LH
H
Clock
Suspend
Entry
H
L
HX
X
LV
V
Exit
L
H
X
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PDF描述 |
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