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参数资料
| 型号： | HY5PS12823LF |
| 英文描述： | 64Mx8|1.8V|8K|D43/D44/D54/D55|DDR II SDRAM - 512M |
| 中文描述： | 64Mx8 | 1.8 | 8K的| D43/D44/D54/D55 |的DDR II内存- 512M |
| 文件页数： | 18/66页 |
| 文件大小： | 862K |
| 代理商： | HY5PS12823LF |
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Rev. 0.52/Nov. 02 18
HY5PS12423(L)F
HY5PS12823(L)F
HY5PS121623(L)F
OPERATION COMMAND TRUTH TABLE-II
Current
State
CS
RAS
CAS
WE
Address
Command
Action
WRITE
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
4
L
L
H
L
BA, AP
PRE/PALL
Term burst, precharge
L
L
L
H
X
AREF/SREF
ILLEGAL
11
L
L
L
L
OPCODE
MRS
ILLEGAL
11
READ
WITH
AUTOPRE-
CHARGE
H
X
X
X
X
DSEL
Continue burst to end
L
H
H
H
X
NOP
Continue burst to end
L
H
H
L
X
NOP
Continue burst to end
L
H
L
H
BA, CA, AP
READ/READAP
ILLEGAL
10
L
H
L
L
BA, CA, AP
WRITE/WRITEAP
ILLEGAL
10
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
4,10
L
L
H
L
BA, AP
PRE/PALL
ILLEGAL
4,10
L
L
L
H
X
AREF/SREF
ILLEGAL
11
L
L
L
L
OPCODE
MRS
ILLEGAL
11
WRITE
AUTOPRE-
CHARGE
H
X
X
X
X
DSEL
Continue burst to end
L
H
H
H
X
NOP
Continue burst to end
L
H
H
L
X
NOP
Continue burst to end
L
H
L
H
BA, CA, AP
READ/READAP
ILLEGAL
10
L
H
L
L
BA, CA, AP
WRITE/WRITEAP
ILLEGAL
10
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
4,10
L
L
H
L
BA, AP
PRE/PALL
ILLEGAL
4,10
L
L
L
H
X
AREF/SREF
ILLEGAL
11
L
L
L
L
OPCODE
MRS
ILLEGAL
11
PRE-
CHARGE
H
X
X
X
X
DSEL
NOP-Enter IDLE after tRP
L
H
H
H
X
NOP
NOP-Enter IDLE after tRP
L
H
H
L
X
NOP
NOP-Enter IDLE after tRP
L
H
L
H
BA, CA, AP
READ/READAP
ILLEGAL
4,10
L
H
L
L
BA, CA, AP
WRITE/WRITEAP
ILLEGAL
4,10
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
4,10
L
L
H
L
BA, AP
PRE/PALL
NOP-Enter IDLE after tRP
L
L
L
H
X
AREF/SREF
ILLEGAL
11
L
L
L
L
OPCODE
MRS
ILLEGAL
11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5P | Current Transducers HY 5 to 25-P/SP1 |
| HY5R256HC | -|2.5V|8K|40|Direct RDRAM - 256M |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| HY5PS1G1631AFP | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gb DDR2 SDRAM |
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