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参数资料
| 型号： | HY5V52EMP-H |
| 厂商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90 |
| 封装： | 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90 |
| 文件页数： | 11/14页 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | HY5V52EMP-H |
Rev. 1.0 / Nov. 2005
6
1
Synchronous DRAM Memory 256Mbit (8Mx16bit *2stack)
HY5V52E(L)M(P) Series
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
2Mbit x 4banks x 32 I/O Synchronous DRAM
Row
dec
oders
Row
decoders
Row
de
co
de
rs
Row
d
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ode
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Column decoders
2Mx16 Bank0
2Mx16 Bank1
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2Mx16 Bank3
Memory
Cell
Array
VDD
VDDQ
VSS
Row
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Row
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R
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2Mx16 Bank0
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Memory
Cell
Array
VDD
VDDQ
VSS
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
LDQM
UDQM
DQ0
DQ15
DQ16
DQ31
A0
BA1
A11
BA0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| HY5V52F-H | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 2M x 32bits Synchronous DRAM |
| HY5V52F-P | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 2M x 32bits Synchronous DRAM |
| HY5V52FP-H | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 2M x 32bits Synchronous DRAM |
| HY5V52FP-P | 制造商:HYNIX 制造商全称:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 2M x 32bits Synchronous DRAM |
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