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参数资料
| 型号： | HYB39S256160DT-6 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低电流运算，低反向泄露，低噪声稳压二极管 |
| 文件页数： | 14/22页 |
| 文件大小： | 564K |
| 代理商： | HYB39S256160DT-6 |
INFINEON Technologies
21
2002-04-23
HYB39S256400/800/160DT(L)/DC(L)
256MBit Synchronous DRAM
Package Outlines - TSOP
GPX09039
22.22±0.13
1)
127
54
28
0.35
+0.1
-0.05
0.1
1
0.1
10.16±0.13
±0.2
11.76
±0.1
0.5
Does not include plastic or metal protrusion of 0.15 max per side
1)
54x
±0.05
0.15
-0.03
+0.06
15±5
6max
2.5 max
2)
3)
Does not include plastic protrusion of 0.25 max per side
2)
Does not include dambar protrusion of 0.13 max per side
3)
Index Marking
0.8
20.8
26x 0.8 =
0.2 M 54x
Plastic Package P-TSOPII-54
(400 mil, 0.8 mm lead pitch)
Thin Small Outline Package, SMD
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PDF描述 |
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参数描述 |
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