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参数资料
| 型号： | IBM0116165P |
| 厂商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| 中文描述： | 100万× 16 12 / 8 EDO公司的DRAM（1,600位动态随机存储器（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）） |
| 文件页数： | 27/31页 |
| 文件大小： | 553K |
| 代理商： | IBM0116165P |
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IBM0116165
IBM0116165B IBM0116165P
1M x 16 12/8 EDO DRAM
IBM0116165M
28H4723
SA14-4225-06
Revised 4/97
IBM Corporation. All rights reserved.
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Self Refresh Cycle (Sleep Mode)
- Low Power version only
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
WE
V
IH
V
IL
t
RASS
t
RPS
t
CRP
D
OUT
V
OH
V
OL
Hi-Z
: “H” or “L”
t
OFF
t
CP
t
CSR
t
WRH
t
WRP
t
RPC
t
CHD
t
CHS
NOTES:
1. Address and OE are “H” or “L”
2. Once RAS (min) is provided and RAS remains low, the DRAM
will be in Self Refresh, commonly known as “Sleep Mode.”
3. If t
RASS
> t
CHD
(min) then t
CHD
applies.
If t
RASS
≤
t
CHD
(min) then t
CHS
applies.
UCAS
LCAS
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IBM0116405M | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0116405P | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
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相关代理商/技术参数 |
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