- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378599 > IBM0116165P (IBM Microeletronics) 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IBM0116165P |
| 厂商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 1M x 16 12/8 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）) |
| 中文描述： | 100万× 16 12 / 8 EDO公司的DRAM（1,600位动态随机存储器（超页面模式读写并带20条地址线，其中12条为行地址选通，8条为列地址选通）） |
| 文件页数： | 29/31页 |
| 文件大小： | 553K |
| 代理商： | IBM0116165P |
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IBM0116165
IBM0116165B IBM0116165P
1M x 16 12/8 EDO DRAM
IBM0116165M
28H4723
SA14-4225-06
Revised 4/97
IBM Corporation. All rights reserved.
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PACKAGE DIMENSIONS
(400mil; 42/42 lead; Small Outline J-Lead)
Lead #1
1
27.305
±
0.127
1
Lead #1 I.D.
0.10
Seating Plane
0.76 min
±
0.254
3.505
9
0.203-0.025
1.27 Basic
0.69-0.03
0.42-0.039
NOTE:
All dimensions are in millimeters
;
Package diagrams are not drawn to scale.
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0116405 | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0116405B | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0116405M | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0116405P | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0117405 | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IBM0116405JIE60 | 制造商:IBM 功能描述:53H2588 |
| IBM0116405PT1F60 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM01164B0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0567 |
| IBM01164D0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0568 |
| IBM0117400J1E70 | 制造商:IBM 功能描述:53H2508 |
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