- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378599 > IBM0116405 (IBM Microeletronics) 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IBM0116405 |
| 厂商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| 中文描述： | 4米× 4 12月10日EDO公司的DRAM（1,600位动态随机存储器（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）） |
| 文件页数： | 3/31页 |
| 文件大小： | 556K |
| 代理商： | IBM0116405 |
第1页第2页当前第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页
IBM0116405
IBM0116405B IBM0116405P
4M x 4 12/10 EDO DRAM
IBM0116405M
28H4720
SA14-4226-06
Revised 4/97
IBM Corporation. All rights reserved.
Use is further subject to the provisions at the end of this document.
Page 3 of 31
Block Diagram
12
12
12
10
10
4
4
4
4
4
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
4096
1024 x 4
RAS
WE
OE
Vcc
Vss
&
Regulator
(to OCDs)
V
DD
(internal)
CAS Clock
Generator
Column Address
Buffer (10)
A0
Refresh
Refresh Counter
(10)
Row Address
Buffer (10)
RAS Clock
Generator
R
Column Decoder and I/O Gate
Sense Amplifiers
Memory Array
4096 x 1024 x 4
Data In Buffer
Data Out Buffer
(5.0 Volt version)
Controller
I/O0
I/O3
CAS
A10
A11
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0116405B | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0116405M | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0116405P | 4M x 4 12/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中12条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0117405 | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）) |
| IBM0117405B | 4M x 4 11/11 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带22条地址线，其中11条为行地址选通，11条为列地址选通）) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IBM0116405JIE60 | 制造商:IBM 功能描述:53H2588 |
| IBM0116405PT1F60 | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM01164B0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0567 |
| IBM01164D0T3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H0568 |
| IBM0117400J1E70 | 制造商:IBM 功能描述:53H2508 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。