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参数资料
| 型号： | IBM0117805B |
| 厂商： | IBM Microeletronics |
| 英文描述： | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| 中文描述： | 200万× 8 11/10 EDO公司的DRAM（1,600位动态随机存储器（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）） |
| 文件页数： | 28/31页 |
| 文件大小： | 559K |
| 代理商： | IBM0117805B |
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IBM0117805
IBM0117805B
2M x 8 11/10 EDO DRAM
IBM0117805M
IBM0117805P
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28H4724
SA14-4221-06
Revised 4/97
Package Dimensions
(400 mil; 28/28 lead; Thin Small Outline Package)
NOTE:
All dimensions are in millimeters; Package diagrams are not drawn to scale
1.27 Basic
1
18.41
±
1
0.10
0.125
Detail A
Lead #1
0.95 REF
+0.075
-0.005
Detail A
0.25 Basic
Gage Plane
0.5
±
0.1
0.05
1
+0.10
-0.00
1.00
±
0.05
Seating Plane
0.40
±
0.10
0.10
0
Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IBM0117805M | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0117805P | 2M x 8 11/10 EDO DRAM(16M位 动态RAM（超页面模式读写并带21条地址线，其中11条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0118160 | 1M x 16 10/10 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中10条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0118160B | 1M x 16 10/10 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中10条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
| IBM0118160M | 1M x 16 10/10 DRAM(16M位 动态RAM（带20条地址线，其中10条为行地址选通，10条为列地址选通）) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IBM0118160J3F60 | 制造商:IBM 功能描述:51H057 |
| IBM0118165PT3E6R | 制造商:IBM 功能描述:* |
| IBM011816DT3D60 | 制造商:IBM 功能描述:28H4998 |
| IBM0164405BT3D50 | 制造商:IBM 功能描述:20L9262 |
| IBM0165165PT3C50 | 制造商:IBM 功能描述:75H3120 |
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