1N5407T

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说明
操作

1N5407T-G
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
256
Comchip Technology
标准封装
23+
-
真实的资源竭诚服务您！

1N5407TR
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
ORIGINAL
最新批号
-
代理此型号，原装特价现货！

1N5407T-G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
COMCHIP T
1521+
-
全新原装现货

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1N5407T 技术参数

1N5407RLG 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AA，DO-27，轴向供应商器件封装:轴向工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N5407RL 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AA，DO-27，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-65°C ~ 170°C 标准包装:1,200 1N5407G-T 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:1 1N5407GP-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 时的电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,200 1N5407GP-E3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 时的电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-50°C ~ 150°C 标准包装:1,000 1N5408-G 1N5408G A0G 1N5408G B0G 1N5408G R0G 1N5408GHA0G 1N5408GHB0G 1N5408GHR0G 1N5408GP-E3/54 1N5408GP-TP 1N5408G-T 1N5408RL 1N5408RLG 1N5408-T 1N5408TA 1N5408-TP 1N5415 1N5415US 1N5416