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2N5442

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  • 2N5442
    2N5442

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  • 深圳市科思奇电子科技有限公司
    深圳市科思奇电子科技有限公司

    联系人:林小姐/欧阳先生

    电话:0755-832450508278593918923762408微信同号

    地址:深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室

    资质:营业执照

  • 6000

  • MOTOROLA

  • 原厂原装

  • 23+

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  • 只做原装正品

  • 2N5442
    2N5442

    2N5442

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 86530

  • MOTOROLA

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  • 最新批号

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  • 代理此型号,原装正品现货!!

  • 2N5442
    2N5442

    2N5442

  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:廖R

    电话:13163738578

    地址:龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707

  • 9000

  • MOTOROLA

  • 原厂原装

  • 19+

  • -
  • 只做原装正品假一赔十为客户做到零风险

  • 2N5442
    2N5442

    2N5442

  • 永利电子元器件深圳有限公司
    永利电子元器件深圳有限公司

    联系人:全迎

    电话:1892843782715626510689杨小姐

    地址:华强路汇商中心

  • 10000

  • MOTOROLA

  • 原厂原装

  • 21+

  • -
  • 只做原装正品

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  • 制造商
  • 未知厂家
  • 制造商全称
  • 未知厂家
  • 功能描述
  • 40-A Silicon Triacs
2N5442 技术参数
  • 2N5434 功能描述:DIE TRANS SMALL SIGNAL 制造商:fairchild/micross components 系列:* 零件状态:有效 标准包装:25 2N5433-E3 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):25V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):100mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):3V @ 3nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):30pF @ 0V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AC,TO-52-3,金属罐 供应商器件封装:TO-206AC(TO-52) 功率 - 最大值:300mW 标准包装:200 2N5433-2 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):25V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):100mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):3V @ 3nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):30pF @ 0V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AC,TO-52-3,金属罐 供应商器件封装:TO-206AC(TO-52) 功率 - 最大值:300mW 标准包装:20 2N5433 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):25V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):100mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):3V @ 3nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):30pF @ 0V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AC,TO-52-3,金属罐 供应商器件封装:TO-206AC(TO-52) 功率 - 最大值:300mW 标准包装:200 2N5432-2 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):25V 漏源极电压(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):150mA @ 15V 漏极电流(Id) - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):4V @ 3nA 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):30pF @ 0V 电阻 - RDS(开):- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AC,TO-52-3,金属罐 供应商器件封装:TO-206AC(TO-52) 功率 - 最大值:300mW 标准包装:20 2N5458_D27Z 2N5458G 2N5459 2N5459_D27Z 2N5459_D74Z 2N5459_D75Z 2N5460 2N5460_D27Z 2N5460_D74Z 2N5460_D75Z 2N5460_L99Z 2N5460G 2N5461 2N5461_D26Z 2N5461_D74Z 2N5461_L99Z 2N5461G 2N5461RLRA
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