2N5446_代理商_批发/采购【买卖IC网】2N5446

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2N5446
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
DSI
NULL
07/08+
-
假一罚十，百分百原装正品

2N5446
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
6000
MOTOROLA
原厂原装
23+
-
只做原装正品

2N5446
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
10000
isc,iscsemi
TO-48,Stud
2024+
-
国产品牌，可替代原装

2N5446
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
86530
MOTOROLA
MODULE
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！

2N5446
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：廖R
电话：13163738578
地址：龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707
9000
MOTOROLA
原厂原装
19+
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险

2N5446
永利电子元器件深圳有限公司
永利电子元器件深圳有限公司
联系人：全迎
电话：1892843782715626510689杨小姐
地址：华强路汇商中心
10000
MOTOROLA
原厂原装
21+
-
只做原装正品

1/1页 40条/页共7条
1

您是不是要找： 2N5457 2N5457_D26Z 2N5457_D27Z 2N5457_D74Z 2N5457_D75Z 2N5457_L99Z 2N5457G 2N5458 2N5458_D26Z

2N5446 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2N5446 PDF下载

制造商
n/a
功能描述
_
制造商
Solid State Devices Inc (SSDI)
功能描述
TO 48 40 Amp Triac

2N5446 技术参数

2N5434 功能描述:DIE TRANS SMALL SIGNAL 制造商:fairchild/micross components 系列:* 零件状态:有效标准包装:25 2N5433-E3 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:100mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:3V @ 3nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:30pF @ 0V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AC，TO-52-3，金属罐供应商器件封装:TO-206AC（TO-52）功率 - 最大值:300mW 标准包装:200 2N5433-2 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:100mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:3V @ 3nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:30pF @ 0V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AC，TO-52-3，金属罐供应商器件封装:TO-206AC（TO-52）功率 - 最大值:300mW 标准包装:20 2N5433 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:100mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:3V @ 3nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:30pF @ 0V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AC，TO-52-3，金属罐供应商器件封装:TO-206AC（TO-52）功率 - 最大值:300mW 标准包装:200 2N5432-2 功能描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:25V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:150mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:4V @ 3nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:30pF @ 0V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-206AC，TO-52-3，金属罐供应商器件封装:TO-206AC（TO-52）功率 - 最大值:300mW 标准包装:20 2N5458_D27Z 2N5458G 2N5459 2N5459_D27Z 2N5459_D74Z 2N5459_D75Z 2N5460 2N5460_D27Z 2N5460_D74Z 2N5460_D75Z 2N5460_L99Z 2N5460G 2N5461 2N5461_D26Z 2N5461_D74Z 2N5461_L99Z 2N5461G 2N5461RLRA