2N7000LT1_代理商_批发/采购【买卖IC网】2N7000LT1

配单专家企业名单

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说明
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2N7000LT1G
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：严艺浦
电话：18682365538
地址：上步工业区501栋410室
20000
ON/安森美
SOT-23
23+
-
原装正品欢迎咨询

2N7000LT1G
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
ON/安森美
SOT-23
23+
-
原装正品欢迎咨询

2N7000LT1
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
8900
ON
SOT23
11+
-
绝对公司原装现货

2N7000LT1G
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
13600
ON/安森美
SOT-23
21+
-
原厂原装现货

2N7000LT1
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
18450
ON
SOT23
电子配单专家
-

2N7000LT1G
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：86-755-8450174913760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
3000
ON
SOT-23
假一赔十！
-
绝对原装现货！！

2N7000LT1
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
11630
ON
16+特价出售
18+
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原装正品，优势供应

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2N7000LT1 技术参数

2N7000-G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3 制造商:microchip technology 系列:- 包装:散装零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Tj）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:60pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1,000 2N7000G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:60pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1,000 2N7000-D75Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-92-3 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）基本零件编号:2N7000 标准包装:1 2N7000-D74Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-92-3 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）基本零件编号:2N7000 标准包装:1 2N7000-D26Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔供应商器件封装:TO-92-3 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）基本零件编号:2N7000 标准包装:1 2N7002 TR13 2N7002,215 2N7002,235 2N7002_D87Z 2N7002_L99Z 2N7002_NB9G002 2N7002_S00Z 2N7002-7 2N7002-7-F 2N7002A-7 2N7002AQ-13 2N7002AQ-7 2N7002BK,215 2N7002BKM,315 2N7002BKMB,315 2N7002BKS,115 2N7002BKS/ZLX 2N7002BKT,115

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