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2SAR512PFRAT100+IC

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2SAR512PFRAT100+IC 技术参数
  • 2SAR512PFRAT100 功能描述:PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 制造商:rohm semiconductor 系列:汽车级,AEC-Q101 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 35mA,700mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:430MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SAR512P5T100 功能描述:PNP -30V -2A MEDIUM POWER TRANSI 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 35mA,700mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:430MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SAR502UBTL 功能描述:TRANS PNP 30V 0.5A UMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):200nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:520MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-85 供应商器件封装:UMT3F 标准包装:1 2SAR502EBTL 功能描述:TRANS PNP 30V 0.5A EMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):200nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:520MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-89,SOT-490 供应商器件封装:EMT3F 标准包装:1 2SAR340PT100Q 功能描述:PNP -100MA -400V MIDDLE POWER TR 制造商:rohm semiconductor 系列:* 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 2mA,20mA 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):82 @ 10mA,10V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SAR514RTL 2SAR522EBTL 2SAR522MT2L 2SAR522UBTL 2SAR523EBTL 2SAR523MT2L 2SAR523UBTL 2SAR533P5T100 2SAR533PFRAT100 2SAR533PT100 2SAR542F3TR 2SAR542PFRAT100 2SAR542PT100 2SAR543DTL 2SAR543RTL 2SAR544P5T100 2SAR544PFRAT100 2SAR544PT100
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