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AON6338FH

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AON6338FH 技术参数
  • AON6314 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):85A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):20nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1900pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):32.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.8 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 标准包装:3,000 AON6312 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):85A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):65nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3100pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):50W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.85 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 标准包装:3,000 AON6298 功能描述:MOSFET N-CH 100V 14.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14.5A(Ta),46A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16.5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):23nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1307pF @ 50V 功率 - 最大值:7.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标准包装:3,000 AON6294 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Ta),52A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2265pF @ 50V 功率 - 最大值:6.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标准包装:1 AON6292 功能描述:MOSFET N-CH 100V 24A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):24A(Ta),85A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):63nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3830pF @ 50V 功率 - 最大值:7.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标准包装:3,000 AON6370_002 AON6370P AON6372 AON6380 AON6382 AON6384 AON6400 AON6400L_002 AON6403 AON6404 AON6404A AON6404A_001 AON6405L AON6407 AON6408L AON6410 AON6411 AON6411_001
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