AOTF5B65M2

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说明
操作

AOTF5B65M2
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
23609
AOS/万代
TO-220F-3
21+
-
原厂原装现货

AOTF5B65M2
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
8000
isc,iscsemi
TO-220F
2024+
-
国产品牌，可替代原装

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您是不是要找： AOTF5N100 AOTF5N50 AOTF5N50FD AOTF6N90 AOTF7N60 AOTF7N60FD AOTF7N65 AOTF7N70 AOTF7S60L

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AOTF5B65M2 技术参数

AOTF5B65M1 功能描述:IGBT 650V 5A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):15A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.98V @ 15V，5A 功率 - 最大值:25W 开关能量:80μJ（开），70μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:8.5ns/106ns 测试条件:400V，5A，60 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:195ns 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOTF5B60D 功能描述:IGBT 600V 14A 31.2W Through Hole TO-220-3F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:14A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.8V @ 15V， 5A 功率 - 最大值:31.2W 开关能量:140μJ（开），40μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:9.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/83ns 测试条件:400V，5A，60 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:98ns 封装/外壳:TO-220-3 整包安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF4T60P 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.1 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:522pF @ 100V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:50 AOTF4S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:900 毫欧 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:263pF @ 100V 功率 - 最大值:31W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF4N90 功能描述:MOSFET N-CH 900V 4A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:900V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.6 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:880pF @ 25V 功率 - 最大值:37W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF7S65 AOTF7T60 AOTF7T60L AOTF7T60P AOTF7T60PL AOTF8N50 AOTF8N60 AOTF8N65 AOTF8N80 AOTF8T50P AOTF8T50P_001 AOTF9N50 AOTF9N70 AOTF9N90 AOTS40B65H1 AOU1N60 AOU2N60 AOU2N60_001