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AOTF5N50L

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  • 深圳市莱特斯电子科技有限公司
    深圳市莱特斯电子科技有限公司

    联系人:江先生

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  • 深圳市宝芯创电子有限公司
    深圳市宝芯创电子有限公司

    联系人:陈先生

    电话:0755-83228629

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人,可开正规13%专

    资质:营业执照

  • 59990

  • AO/万代

  • TO-220F

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  • 100%原装,诚信为本,等你咨询!

  • AOTF5N50L
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  • 深圳市信通吉电子有限公司
    深圳市信通吉电子有限公司

    联系人:

    电话:17841084408

    地址:深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和大厦B座20

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  • AOS/ 万代

  • 原装正品

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  • 香港总公司18年专业电子元器件现货供应商

  • AOTF5N50L
    AOTF5N50L

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  • 深圳市桂鹏科技有限公司
    深圳市桂鹏科技有限公司

    联系人:田小姐/高先生/李小姐

    电话:0755-828102988281039882810298

    地址:深圳市罗湖区宝安南路国都大厦-国丽15D(地王大厦周边)

    资质:营业执照

  • 82810298

  • AO/万代

  • TO-220F

  • 15+

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  • 深圳现货★原厂品质★提供PCB板配单业务

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AOTF5N50L 技术参数
  • AOTF5N50FD 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.8 欧姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):530pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF5N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 欧姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):620pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF5N100 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.2 欧姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):23nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1150pF @ 25V 功率 - 最大值:42W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF5B65M1 功能描述:IGBT 650V 5A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):650V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):15A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.98V @ 15V,5A 功率 - 最大值:25W 开关能量:80μJ(开),70μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:14nC 25°C 时 Td(开/关)值:8.5ns/106ns 测试条件:400V,5A,60 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):195ns 封装/外壳:TO-220-3 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220 标准包装:1,000 AOTF5B60D 功能描述:IGBT 600V 14A 31.2W Through Hole TO-220-3F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:管件 零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):14A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):20A 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.8V @ 15V, 5A 功率 - 最大值:31.2W 开关能量:140μJ(开),40μJ(关) 输入类型:标准 栅极电荷:9.4nC 25°C 时 Td(开/关)值:12ns/83ns 测试条件:400V,5A,60 欧姆,15V 反向恢复时间(trr):98ns 封装/外壳:TO-220-3 整包 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF7T60P AOTF7T60PL AOTF8N50 AOTF8N60 AOTF8N65 AOTF8N80 AOTF8T50P AOTF8T50P_001 AOTF9N50 AOTF9N70 AOTF9N90 AOTS40B65H1 AOU1N60 AOU2N60 AOU2N60_001 AOU2N60A AOU3N50 AOU3N60
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