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AOTF7T60P AOTF7T60

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AOTF7T60P AOTF7T60 技术参数
  • AOTF7T60P 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.1 欧姆 @ 3.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):965pF @ 100V 功率 - 最大值:38W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:50 AOTF7T60L 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):962pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):29W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.1 欧姆 @ 3.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220F 封装/外壳:TO-220-3 整包 标准包装:1,000 AOTF7T60 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):962pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):38W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.1 欧姆 @ 3.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220F 封装/外壳:TO-220-3 整包 标准包装:1,000 AOTF7S65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):650 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):434pF @ 100V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF7S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):600 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):8.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):372pF @ 100V 功率 - 最大值:34W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF9N90 AOTS40B65H1 AOU1N60 AOU2N60 AOU2N60_001 AOU2N60A AOU3N50 AOU3N60 AOU3N60_001 AOU4N60 AOU4S60 AOU7S60 AOU7S65 AOV11S60 AOV15S60 AOV20S60 AOW10N60 AOW10N65
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