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APT10026L2LLG

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • APT10026L2LLG
    APT10026L2LLG

    APT10026L2LLG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 17+

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • APT10026L2LLG
    APT10026L2LLG

    APT10026L2LLG

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 4000

  • APT

  • 264 MAX?[L2]

  • 08+

  • -
  • 全新原装100%正品保证质量

  • APT10026L2LLG
    APT10026L2LLG

    APT10026L2LLG

  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:13510998172

    地址:振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质:营业执照

  • 20861

  • APT/晶科电子

  • TO-264

  • 21+

  • -
  • 原厂原装现货

  • APT10026L2LLG
    APT10026L2LLG

    APT10026L2LLG

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 4000

  • APT

  • 264 MAX?[L2]

  • 08+

  • -
  • 全新原装100%正品保证质量

  • APT10026L2LLG
    APT10026L2LLG

    APT10026L2LLG

  • 深圳市源运电子商行
    深圳市源运电子商行

    联系人:林先生

    电话:15913992480

    地址:深圳市龙岗区板田街道荔园新村55栋1楼

  • 800

  • APT

  • TO-3PL

  • 07+

  • -
  • APT10026L2LLG
    APT10026L2LLG

    APT10026L2LLG

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • APTMICROSEMI

  • 264MAXL2

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • APT10026L2LLG
    APT10026L2LLG

    APT10026L2LLG

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • APT

  • 原厂封装

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号,原装正品公司现货!

  • APT10026L2LLG
    APT10026L2LLG

    APT10026L2LLG

  • 深圳市金嘉旭贸易有限公司
    深圳市金嘉旭贸易有限公司

    联系人:

    电话:0755-832599640755-23884416

    地址:中航北苑A座7A5

  • 2255

  • MICROSEMI-PPG

  • N/A

  • 18+

  • -
  • 进口原装特价出售

  • APT10026L2LLG
    APT10026L2LLG

    APT10026L2LLG

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-83789203多线17727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • 264 MAX?[L2]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

  • 1/1页 40条/页 共12条 
  • 1
APT10026L2LLG PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 1KV 38A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MAX
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER MOSFET - MOS7 - Rail/Tube
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER MOSFET TRANSISTOR
APT10026L2LLG 技术参数
  • APT10021JLL 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):37A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):210 毫欧 @ 18.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):395nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9750pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT10021JFLL 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):37A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):210 毫欧 @ 18.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):395nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9750pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT1001RBN 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包装:管件 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):1000V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):11A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):130nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):310W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1 欧姆 @ 5.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247AD 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 APT1001R6BFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1320pF @ 25V 功率 - 最大值:266W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:30 APT1001R1BN 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包装:管件 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):1000V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10.5A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):130nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):310W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.1 欧姆 @ 5.25A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-247AD 封装/外壳:TO-247-3 标准包装:30 APT10078BLLG APT10078SLLG APT10090BFLLG APT10090BLLG APT100DL60BG APT100DL60HJ APT100F50J APT100GF60JU2 APT100GF60JU3 APT100GLQ65JU2 APT100GLQ65JU3 APT100GN120B2G APT100GN120J APT100GN120JDQ4 APT100GN60B2G APT100GN60LDQ4G APT100GT120JR APT100GT120JRDQ4
配单专家

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