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APT30GF60JU2MI

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APT30GF60JU2MI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：朱先生
电话：13714291754
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
Microsemi
SOT-227
11+
-
100%进口原装正品，只做原装

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APT30GF60JU2MI 技术参数

APT30GF60JU2 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 58A 192W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:58A 功率 - 最大值:192W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，30A 电流 - 集电极截止（最大值）:40μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:1.85nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT30F60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:31A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 21A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:215nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8590pF @ 25V 功率 - 最大值:355W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT30F50S 功能描述:MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:115nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4525pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:415W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:190 毫欧 @ 14A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:D3Pak 封装/外壳:TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 标准包装:1 APT30F50B 功能描述:MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:190 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:115nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4525pF @ 25V 功率 - 最大值:415W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT30DS60BG 功能描述:Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 600V 20A Through Hole, Radial TO-247-2 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对串联二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:20A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:4V @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:24ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:250μA @ 600V 安装类型:通孔，径向封装/外壳:TO-247-2 供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT30GS60BRDQ2G APT30GT60BRDQ2G APT30GT60BRG APT30GT60KRG APT30M19JVFR APT30M19JVR APT30M40JVFR APT30M40JVR APT30M60J APT30M70BVFRG APT30M70BVRG APT30M70SVRG APT30M85BVFRG APT30M85BVRG APT30N60BC6 APT30N60KC6 APT30S20BCTG APT30S20BG