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APTGT200DA120G

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
  • 批号
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  • APTGT200DA120G
    APTGT200DA120G

    APTGT200DA120G

    现货
  • 集好芯城
    集好芯城

    联系人:陈先生13360533550

    电话:0755-838679890755-82795565

    地址:深圳公司:深圳市福田区华富路航都大厦11F

    资质:营业执照

  • 14775

  • MICROSEMI/美高森美

  • NA

  • 22+

  • -
  • 原厂原装现货

  • APTGT200DA120G
    APTGT200DA120G

    APTGT200DA120G

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-82999903

    地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -
  • 瑞智芯 只有原装

  • APTGT200DA120G
    APTGT200DA120G

    APTGT200DA120G

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • APTGT200DA120G
    APTGT200DA120G

    APTGT200DA120G

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Microsemi Corporation

  • SP6

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • APTGT200DA120G
    APTGT200DA120G

    APTGT200DA120G

  • 深圳市科思奇电子科技有限公司
    深圳市科思奇电子科技有限公司

    联系人:林小姐/欧阳先生

    电话:0755-832450508278593918923762408微信同号

    地址:深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室

    资质:营业执照

  • 6000

  • APT

  • 原厂原装

  • 23+

  • -
  • 只做原装正品

  • APTGT200DA120G
    APTGT200DA120G

    APTGT200DA120G

  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:廖R

    电话:13163738578

    地址:龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707

  • 9000

  • APT

  • 原厂原装

  • 19+

  • -
  • 只做原装正品假一赔十为客户做到零风险

  • APTGT200DA120G
    APTGT200DA120G

    APTGT200DA120G

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 86530

  • APT

  • MODULE

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号,原装正品现货!!

  • APTGT200DA120G
    APTGT200DA120G

    APTGT200DA120G

  • 永利电子元器件深圳有限公司
    永利电子元器件深圳有限公司

    联系人:全迎

    电话:1892843782715626510689杨小姐

    地址:华强路汇商中心

  • 10000

  • APT

  • 原厂原装

  • 21+

  • -
  • 只做原装正品

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  • 1
APTGT200DA120G PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • IGBT 1200V 280A 890W SP6
  • RoHS
  • 类别
  • 半导体模块 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 类型
  • PT
  • 配置
  • 单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)
  • 600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)
  • 1.4V @ 15V,100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)
  • 430A
  • 电流 - 集电极截止(最大)
  • 100µA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 输入
  • 标准
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型
  • 底座安装
  • 封装/外壳
  • SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装
  • SOT-227B
APTGT200DA120G 技术参数
  • APTGT200DA120D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 300A 1050W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):300A 功率 - 最大值:1050W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):6mA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):14nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTGT200A60TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 290A 625W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):290A 功率 - 最大值:625W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):12.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT200A60T3AG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 290A 750W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):290A 功率 - 最大值:750W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):250μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):12.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGT200A602G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 290A 625W Chassis Mount SP2 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):600V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):290A 功率 - 最大值:625W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):50μA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):12.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP2 供应商器件封装:SP2 标准包装:1 APTGT200A170D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 400A 1250W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿(最大值):1700V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):400A 功率 - 最大值:1250W 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2.4V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止(最大值):5mA 不同?Vce 时的输入电容(Cies):17nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTGT200SK120D3G APTGT200SK120G APTGT200SK170D3G APTGT200SK60T3AG APTGT200SK60TG APTGT200TL60G APTGT20A60T1G APTGT20DDA60T3G APTGT20DSK60T3G APTGT20H60T1G APTGT20H60T3G APTGT20TL601G APTGT20X60T3G APTGT225A170G APTGT225DA170G APTGT225DU170G APTGT225SK170G APTGT25A120D1G
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