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APTGT200DA60T3

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    APTGT200DA60T3AG-MODULE

    APTGT200DA60T3AG-MODULE

  • 北京京北通宇电子元件有限公司
    北京京北通宇电子元件有限公司

    联系人：王女士

    电话：13969210552

    地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）

    资质：营业执照

  • 4500

  • MICROCHIP

  • NA

  • 近两年

  • -

  • 查货可到京北通宇商城www.jbchip...

  • APTGT200DA60T3AG
    APTGT200DA60T3AG

    APTGT200DA60T3AG

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人：鑫科润

    电话：185210072361851602286718516022897

    地址：上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Microsemi Corporation

  • SP3

  • 17+

  • -

  • 全新原装现货

  • APTGT200DA60T3AG
    APTGT200DA60T3AG

    APTGT200DA60T3AG

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原装现货

  • APTGT200DA60T3AG
    APTGT200DA60T3AG

    APTGT200DA60T3AG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    联系人：朱先生

    电话：0755-82999903

    地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -

  • 瑞智芯 只有原装

  • APTGT200DA60T3
    APTGT200DA60T3

    APTGT200DA60T3

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人：张小姐

    电话：15961889159

    地址：江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质：营业执照

  • 5000

  • isc,iscsemi

  • E73X40-32L

  • 2024+

  • -

  • 国产品牌，可替代原装

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  • 1
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APTGT200DA60T3 技术参数
  • APTGT200DA170D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 400A 1250W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1700V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:400A 功率 - 最大值:1250W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.4V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:5mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:17nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTGT200DA120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:280A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:350μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:14nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6 标准包装:1 APTGT200DA120D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 300A 1050W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300A 功率 - 最大值:1050W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:6mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:14nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:D-3 模块 供应商器件封装:D3 标准包装:1 APTGT200A60TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 290A 625W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:290A 功率 - 最大值:625W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:12.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP4 供应商器件封装:SP4 标准包装:1 APTGT200A60T3AG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 290A 750W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:290A 功率 - 最大值:750W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.9V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:12.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是 安装类型:底座安装 封装/外壳:SP3 供应商器件封装:SP3 标准包装:1 APTGT200SK120G APTGT200SK170D3G APTGT200SK60T3AG APTGT200SK60TG APTGT200TL60G APTGT20A60T1G APTGT20DDA60T3G APTGT20DSK60T3G APTGT20H60T1G APTGT20H60T3G APTGT20TL601G APTGT20X60T3G APTGT225A170G APTGT225DA170G APTGT225DU170G APTGT225SK170G APTGT25A120D1G APTGT25A120T1G
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