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AUIRFS3206TRR

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  • AUIRFS3206TRRPBF
    AUIRFS3206TRRPBF

    AUIRFS3206TRRPBF

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • IR

  • 原厂封装

  • 最新批号

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  • 功能描述
  • MOSFET 60V 210A 3 mOhm Automotive MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
AUIRFS3206TRR 技术参数
  • AUIRFS3206TRL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 210A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3 毫欧 @ 75A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):170nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6540pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 AUIRFS3206 功能描述:MOSFET N-CH 60V 210A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3 毫欧 @ 75A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):170nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):6540pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRFS3107TRL 功能描述:MOSFET N-CH 75V 230A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):195A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3 毫欧 @ 140A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):240nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9370pF @ 50V 功率 - 最大值:370W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 AUIRFS3107-7P 功能描述:MOSFET N-CH 75V 230A D2PAK-7P 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):240A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.6 毫欧 @ 160A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):240nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9200pF @ 50V 功率 - 最大值:370W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片) 供应商器件封装:D2PAK(7-Lead) 标准包装:50 AUIRFS3107 功能描述:MOSFET N-CH 75V 230A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):195A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3 毫欧 @ 140A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):240nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9370pF @ 50V 功率 - 最大值:370W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRFS4010-7P AUIRFS4115 AUIRFS4115-7P AUIRFS4115-7TRL AUIRFS4115TRL AUIRFS4127 AUIRFS4127TRL AUIRFS4310 AUIRFS4310TRL AUIRFS4310Z AUIRFS4310ZTRL AUIRFS4410Z AUIRFS4610 AUIRFS6535 AUIRFS6535TRL AUIRFS8403 AUIRFS8403TRL AUIRFS8405
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