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AUIRFS4310ZTRPBF
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：江先生
电话：0755-236033608325800283223169
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
50000
IR
TO-263
14+
-
公司现货库存，全新原装正品。假一罚十,可...

AUIRFS4310ZTRPBF
深圳市华创欧科技有限公司
深圳市华创欧科技有限公司
联系人：朱先生
电话：2394575513590206539
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
29350
INFINEON
TO-263
2022+
-
原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0...

AUIRFS4310ZTRPBF
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
IR
TO-263
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！

AUIRFS4310ZTRPBF.
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
166065
IR
TO-263
14+
-
全新原装现货

AUIRFS4310ZTRPBF.
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：林S
电话：400-666-5385
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
IR
TO-263
21+
-
百域芯优势实单必成可开13点增值税

AUIRFS4310ZTRPBF
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3090
IR
TO263
2205+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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AUIRFS4310ZTRPBF 技术参数

AUIRFS4310ZTRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 毫欧 @ 75A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:170nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6860pF @ 50V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:1 AUIRFS4310Z 功能描述:MOSFET N-CH 100V 127A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 毫欧 @ 75A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:170nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6860pF @ 50V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRFS4310TRL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 75A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:250nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7670pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:800 AUIRFS4310 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7 毫欧 @ 75A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:250nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7670pF @ 50V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRFS4127TRL 功能描述:MOSFET NCH 200V 72A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:汽车级，AEC-Q101，HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:72A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 44A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5380pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:* 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK（TO-263AB）标准包装:800 AUIRFS8407-7P AUIRFS8407-7TRL AUIRFS8407TRL AUIRFS8408 AUIRFS8408-7P AUIRFS8408-7TRL AUIRFS8409 AUIRFS8409-7P AUIRFS8409-7TRL AUIRFS8409TRL AUIRFSA8409-7P AUIRFSA8409-7TRL AUIRFSL4115 AUIRFSL4310 AUIRFSL6535 AUIRFSL8403 AUIRFSL8405 AUIRFSL8407