DFE252012F-3R3M=P2

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

DFE252012F-3R3M=P2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
Murata Electronics North
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百正品

DFE252012F-3R3M=P2
林沃田信息技术(深圳)有限公司
林沃田信息技术(深圳)有限公司
联系人：岳先生田小姐
电话：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田区福田街道福南社区深南中路 3037号南光捷佳大厦2906
资质：营业执照
11050
Murata Electronics North
FIXED IND 3.3UH 1.8A
22+
-

DFE252012F-3R3M=P2
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
MURATA/村田
SMD
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

DFE252012F-3R3M=P2
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
1830
Murata Electronics North
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

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功能描述
3.3μH Shielded Inductor 1.8A 135 mOhm Max 1008 (2520 Metric)
制造商
murata electronics north america
系列
DFE252012F
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
类型
-
材料 - 磁芯
铁粉
电感
3.3μH
容差
±20%
额定电流
1.8A
电流 - 饱和值
2.8A
屏蔽
屏蔽
DC 电阻（DCR）
135 毫欧最大
不同频率时的 Q 值
-
频率 - 自谐振
-
等级
-
工作温度
-40°C ~ 125°C
频率 - 测试
1MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
1008（2520 公制）
大小/尺寸
0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）
高度 - 安装（最大值）
0.047"（1.20mm）
标准包装
1

DFE252012F-3R3M=P2 技术参数

DFE252012F-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Inductor 2.3A 82 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:- 材料 - 磁芯:铁粉电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:2.3A 电流 - 饱和值:3.6A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:82 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.047"（1.20mm）标准包装:1 DFE252012F-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Inductor 2.7A 58 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:- 材料 - 磁芯:铁粉电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:2.7A 电流 - 饱和值:4.3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:58 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.047"（1.20mm）标准包装:1 DFE252012F-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Inductor 3.3A 40 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:- 材料 - 磁芯:铁粉电感:1μH 容差:±20% 额定电流:3.3A 电流 - 饱和值:5.3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:40 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.047"（1.20mm）标准包装:1 DFE252012F-100M=P2 功能描述:10μH Shielded Inductor 950mA 480 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:- 材料 - 磁芯:铁粉电感:10μH 容差:±20% 额定电流:950mA 电流 - 饱和值:1.6A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:480 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.047"（1.20mm）标准包装:1 DFE252010R-H-4R7M=P2 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 276 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010R 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:1.1A 电流 - 饱和值:1.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:276 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE252012P-2R2M=P2 DFE252012P-3R3M=P2 DFE252012P-4R7M=P2 DFE252012PD-1R0M=P2 DFE252012P-R33M=P2 DFE252012P-R47M=P2 DFE252012P-R68M=P2 DFE252012R-H-1R0M=P2 DFE252012R-H-1R5M=P2 DFE252012R-H-2R2M=P2 DFE252012R-H-4R7M=P2 DFEG10040D-100M=P3 DFEG10040D-150M=P3 DFEG10040D-1R0M=P3 DFEG10040D-1R5M=P3 DFEG10040D-220M=P3 DFEG10040D-2R2M=P3 DFEG10040D-3R3M=P3