EPC2104_代理商_批发/采购【买卖IC网】EPC2104

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

EPC2104ENG
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
EPC
模具
17+
-
全新原装现货

EPC2104
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
EPC
模具
21+
-
质量保真，价格实惠，假一罚十

EPC2104ENG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
1000
EPC
托盘
1521+
-
全新原装现货

EPC2104
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
467
EPC
BGA
21+
-
瑞智芯只做原装

EPC2104ENGRT
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
3291
EPC
N/A
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

EPC2104
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
487
EPC
BGA
20
-
瑞智芯只有原装

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功能描述
TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG
制造商
epc
系列
eGaN?
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
23A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
6.3 毫欧 @ 20A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 5.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
800pF @ 50V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
模具
供应商器件封装
模具
标准包装
1

EPC2104 技术参数

EPC2103ENGRT 功能描述:TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7600pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作温度:* 安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2103ENG 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:760pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:10 EPC2103 功能描述:TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.5 毫欧 @ 20A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:6.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:760pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2102ENGRT 功能描述:MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A（Tj）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:6.8nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:830pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2102ENG 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:GaNFET（氮化镓）漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.4 毫欧 @ 20A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.8nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:830pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:10 EPC2108 EPC2108ENGRT EPC2110 EPC2110ENGRT EPC2111 EPC2111ENGRT EPC2801 EPC2815 EPC2818 EPC2LC20 EPC2LC20N EPC2LI20 EPC2LI20N EPC2TC32 EPC2TC32N EPC2TI32 EPC2TI32N EPC4QC100