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STL128D

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
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  • 说明
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  • STL128DN
    STL128DN

    STL128DN

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人：张先生

    电话：0755-23903058

    地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • ST/意法

  • TO-220

  • 22+

  • -

  • 每一片都来自原厂，正品保证

  • STL128D
    STL128D

    STL128D

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-62962871629687318256329162961347

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百正品现货 电话010-621049...

  • STL128D
    STL128D

    STL128D

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 9805

  • STMICROEL

  • 管件

  • 1521+

  • -

  • 全新原装现货

  • STL128D
    STL128D

    STL128D

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：何芝

    电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 3526

  • ST

  • TO-220-3

  • 14+

  • -

  • 原装正品，现货库存，400-800-03...

  • STL128D
    STL128D

    STL128D

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：朱先生/李小姐

    电话：0755-2394163213723794312（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-220AB

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • STL128D
    STL128D

    STL128D

  • 深圳市华芯源电子有限公司
    深圳市华芯源电子有限公司

    联系人：张小姐

    电话：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层16B

    资质：营业执照

  • 569888

  • ST意法

  • N/A

  • 21+

  • -

  • 原装正品现货，支持BOM配单！

  • STL128D
    STL128D

    STL128D

  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人：王小姐

    电话：0755-8363553213751165621

    地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质：营业执照

  • 1940

  • STMicroelectronics

  • TO-220-3

  • 17+

  • -

  • 原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

  • STL128DN
    STL128DN

    STL128DN

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话：0755-837892031333298700517727932378

    地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • TO220 Type E

  • ST

  • 17+

  • -

  • 原装正品。优势供应

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  • 1
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  • 功能描述
  • TRANSISTOR NPN 400V 4A TO-220
  • RoHS
  • 是
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 1
  • 系列
  • -
  • 晶体管类型
  • NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
  • 1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
  • 30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
  • 200mV @ 100mA，1A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
  • 100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
  • 300 @ 500mA，5V
  • 功率 - 最大
  • 710mW
  • 频率 - 转换
  • 100MHz
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装
  • SOT-23-3（TO-236）
  • 包装
  • Digi-Reel®
  • 其它名称
  • MMBT489LT1GOSDKR
STL128D 技术参数
  • STL120N8F7 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.4 毫欧 @ 11.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4570pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6） 标准包装:1 STL120N4LF6AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.6 毫欧 @ 13A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4260pF @ 25V 功率 - 最大值:96W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6） 标准包装:1 STL120N4F6AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101，STripFET? F6 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:55A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.6 毫欧 @ 13A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:63nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3700pF @ 25V 功率 - 最大值:96W 工作温度:175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6） 标准包装:1 STL120N2VH5 功能描述:MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带（CT） 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动 漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3 毫欧 @ 14A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 2.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4660pF @ 15V 功率 - 最大值:80W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6） 标准包装:1 STL11N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1035pF @ 30V 功率 - 最大值:48W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（3.3x3.3） 标准包装:1 STL130N8F7 STL-1-350-3-01 STL-1-350-8-01 STL135N8F7AG STL13DP10F6 STL13N60DM2 STL13N60M2 STL13N65M2 STL13NM60N STL140N4F7AG STL140N4LLF5 STL140N6F7 STL-1-450-3-01 STL-1-450-8-01 STL150N3LLH5 STL150N3LLH6 STL15DN4F5 STL15N3LLH5
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