STL3048Q

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说明
操作

STL3048Q
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：杨先生
电话：0755-23603360832114658325800283223169
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
989
SAMSUNG
1997
-
公司现货!只做原装!

STL3048Q
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：0755-886074588325800283206150
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
5000
SAMSUNG
44QFP(160/TRAY)
NA
-
全新原装！优势库存热卖中！

STL3048Q
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
SAMSUNG
原厂封装
15+
-
原装正品，假一罚十

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1

您是不是要找： STL30N10F7 STL30P3LLH6 STL31N65M5 STL-3-250-3-01 STL-3-250-8-01 STL-3-350-3-01 STL-3-350-8-01 STL33N60DM2 STL33N60M2

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STL3048Q 技术参数

STL2N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.9 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:95pF @ 100V 功率 - 最大值:33W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL26NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.7A（Ta），19A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:185 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1800pF @ 50V 功率 - 最大值:3W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-PowerFlat? HV 供应商器件封装:PowerFlat?（8x8） HV 标准包装:1 STL260N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 260A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? H6 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:260A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.3 毫欧 @ 22.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:61.5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6375pF @ 25V 功率 - 最大值:166W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL25N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A MLPD8X8 4L 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:16A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:205 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1090pF @ 100V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（8x8） HV 标准包装:1 STL25N15F4 功能描述:MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:150V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:63 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:48nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2710pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（6x5）标准包装:1 STL33N65M2 STL-3-450-3-01 STL-3-450-8-01 STL34N65M5 STL-350-3-01 STL-350-8-01 STL35N15F3 STL35N6F3 STL-3-600-3-01 STL-3-600-8-01 STL36DN6F7 STL36N55M5 STL-3-750-3-01 STL-3-750-8-01 STL38N65M5 STL3N10F7 STL3N65M2 STL3N80K5