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STL33N65M2

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • STL33N65M2
    STL33N65M2

    STL33N65M2

  • 深圳市鹏展胜电子有限公司
    深圳市鹏展胜电子有限公司

    联系人:林先生

    电话:0755-8276920313538142003

    地址:深圳市福田区华强北街道佳和大厦A座2801

    资质:营业执照

  • 6000

  • ST/意法半导体

  • PowerFLAT-8x8-5

  • 21+

  • -
  • 原装正品,假一赔十!

  • STL33N65M2
    STL33N65M2

    STL33N65M2

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • ST/意法

  • DFN

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • STL33N65M2
    STL33N65M2

    STL33N65M2

  • 深圳市众芯微电子有限公司
    深圳市众芯微电子有限公司

    联系人:陈小姐

    电话:0755-8320801015711992892

    地址:都会轩3607

    资质:营业执照

  • 86900

  • STMicroelectronics

  • PowerFlat?(8x8) HV

  • 18+

  • -
  • N-CHANNEL 650 V, 0.1...

  • STL33N65M2
    STL33N65M2

    STL33N65M2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • STL33N65M2
    STL33N65M2

    STL33N65M2

  • 中山市翔美达电子科技有限公司
    中山市翔美达电子科技有限公司

    联系人:朱小姐

    电话:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室

  • 9000

  • ST

  • QFP

  • 20+

  • -
  • 公司全新原装正品,QQ153058080...

  • STL33N65M2
    STL33N65M2

    STL33N65M2

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • STMicroelectronics

  • PowerFlat?

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • STL33N65M2
    STL33N65M2

    STL33N65M2

  • 深圳市铭昌源科技有限公司
    深圳市铭昌源科技有限公司

    联系人:优质现货代理商

    电话:0755-82774613邓先生(13480915249)微信同步0755-82774613邓先生

    地址:深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室

    资质:营业执照

  • 58348

  • STMicroelectronics

  • SMD

  • 22+

  • -
  • 优势代理,公司现货可开票

  • STL33N65M2
    STL33N65M2

    STL33N65M2

  • 深圳市新纳斯科技有限公司
    深圳市新纳斯科技有限公司

    联系人:王小姐

    电话:0755-8363553213751165621

    地址:深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室

    资质:营业执照

  • 3470

  • STMicroelectronics

  • 8-PowerVDFN

  • 17+

  • -
  • 原装正品,授权分销商现货库存,价优,货期...

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  • 1
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  • 功能描述
  • N-CHANNEL 650 V, 0.124 OHM TYP.,
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh??
  • 包装
  • 剪切带(CT)
  • 零件状态
  • 在售
  • FET 类型
  • N 沟道
  • 技术
  • MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 650V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 20A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 154 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 41.5nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 1790pF @ 100V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • *
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装
  • PowerFlat?(8x8) HV
  • 标准包装
  • 1
STL33N65M2 技术参数
  • STL33N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21.5A PWRFLAT88 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):135 毫欧 @ 10.75A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):47nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1700pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(8x8) HV 标准包装:1 STL33N60DM2 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.115 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):140 毫欧 @ 10.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1870pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(8x8) HV 标准包装:1 STL31N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.8A(Ta),15A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):162 毫欧 @ 11A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1865pF @ 100V 功率 - 最大值:125W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-PowerFlat? HV 供应商器件封装:PowerFlat?(8x8) HV 标准包装:1 STL30P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):30 毫欧 @ 4.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA(最小) 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1450pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作温度:175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL30N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):35 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):920pF @ 50V 功率 - 最大值:75W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?(5x6) 标准包装:1 STL36DN6F7 STL36N55M5 STL-3-750-3-01 STL-3-750-8-01 STL38N65M5 STL3N10F7 STL3N65M2 STL3N80K5 STL3NK40 STL3NM60N STL3P6F6 STL40C30H3LL STL40DN3LLH5 STL40N10F7 STL40N75LF3 STL42N65M5 STL42P4LLF6 STL42P6LLF6
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